O836Si Sauerstoff durch Inertgasfusions-Infrarotdetektion für Siliziumwafer

Oxygen
LECO O836si

TOUCH SCREEN

O836Si with touch-screen operation

Beschreibung

Der neue O836Si wurde speziell für die Anforderungen der Silizium-Industrie bezüglich Nachweisempfindlichkeit und Präzision entwickelt. Es wurde ein neues Probenaufgabesystem entwickelt. In Kombination mit den hochempfindlichen Infrarot Halbleiter-Detektoren und dem programmierbaren Verbrennungsofen, ermöglicht der O836Si dir richtige und präzise Sauerstoff Bestimmung in Silizium Materialien (z.B. Si-wafer) im niedrigsten Konzentrationsbereich. Eine weitere mögliche Anwendung ist z.B. für hochreines Kupfer für die Elektroindustrie.

Features

  • Hoch präzise Halbleiter infrarot (IR) Detektoren für niedrigste Messbereiche
  • Elektroden Heizofen mit Temperatur oder Stromkontrolle
  • Richtigkeit und Reproduzierbarkeit bis in den untersten µg/g Bereich
  • Niedrigste Blindwerte und Bediener-freundliches Probenaufgabesystem für wafer
  • Geringer Wartungsaufwand und verbesserte Gasführung
  • Meßwertausgabe der Sauerstoffkonzentration in ppma oder ppmw

Arbeitsweise

Probenaufgabe von Silizium Halbleiterscheiben (Wafer)

Der neu konstruierte Probenaufgabekopf ermöglicht kontinuierliche, reproduzierbare Beprobung. Verbunden mit niedrigen Luft-Blindwerten und hoher Reinheit des Trägergases. Durch den speziellen Transportschacht werden die Silizium Halbleiterscheiben (Wafer) beständig in den Verbrennungsofen eingebracht. Der magnetische Aufgabemechanismus arbeitet mit einem Doppeldichtungssystem. Ein integrierter Gaswäscher für Sauerstoff und Feuchtigkeit sorgen für eine maximal mögliche Reduzierung der Luftblindwerte und hohe Reinheit des Trägergases.

Dokumentation

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